GaN 基激光剥离、垂直结构 LED 的制备（ 北京大学 ）　　
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　　激光剥离技术（LLO）是利用激光能量分解GaN/蓝宝石界面处的GaN缓冲层，从而实现LED外延片从蓝宝石衬底分离。激光剥离、垂直结构LED是清除上述照明应用障碍的最有潜力的技术。

　　国内关于LLO技术的研究开始于九十年代末，目前只有南京大学开展GaN外延层的LLO研究，目的是用于厚膜GaN的HVPE生长，对激光剥离在制备LED器件方面的应用没有报道。我们在LLO研究方面做了大量的工作，我们实现了对极薄（3-5μm）的GaN基外延层的的大面积剥离，对剥离造成的损伤和外延层应力方面的影响做了许多研究，同时我们还积极开展LED上下电极技术的研究，得到了上下电极的电致发光，并积极开展上下电极LED芯片结构以及GaN与热沉的键合的研究，从而具备了一定的研究基础。

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