美国单电极垂直结构大功率芯片40MIL/ 3W
美国单电极垂直结构大功率芯片40MIL/ 1W
美国单电极垂直结构大功率芯片28MIL/ 1W
美国单电极垂直结构大功率芯片24MIL/ 1W
美国单电极垂直结构大功率芯片24MIL/ 0.5W
台湾HUGA普通蓝光芯片
台湾HUGA普通绿光芯片
台湾HUGA功率型芯片
  LED芯片与封装  

浅析LED焊接技术及步骤

作者:佚名 编录:ggl

   (1)烙铁焊接:烙铁(最高30W)尖端温度不超过300℃;焊接时间不超过3秒;焊接位置至少离胶体2毫米。
  (2)波峰焊:浸焊最高温度260℃;浸焊时间不超过5秒;浸焊位置至少离胶体2毫米。

LED焊接曲线 引脚成形方法:
  (1)必需离胶体2毫米才能折弯支架。
  (2)支架成形必须用夹具或由专业人员来完成。
  (3)支架成形必须在焊接前完成。
  (4)支架成形需保证引脚和间距与线路板上一致。

清洗
  当用化学品清洗胶体时必须特别小心,因为有些化学品对胶体表面有损伤并引起褪色如三氯乙烯、丙酮等。可用乙醇擦拭、浸渍,时间在常温下不超过3分钟。
  静电防护 静电和电流的急剧升高将会对LED产生损害,InGaN系列产品使用时请使用防静电装置,如防护带和手套。


 

 


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